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| 片内多核共享存储体系结构研究与设计 学位论文
中国科学院自动化研究所: 中国科学院自动化研究所, 2019
作者: 孟洪宇
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者: 王桂磊; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：52/0 | 提交时间：2019/03/26 |
| 具有自对准栅结构的半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510888498.4, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2016-05-25
作者: 朱慧珑; 万光星
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310309151.0, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2015-02-04
作者: 秦长亮; 尹海洲; 唐兆云; 李俊峰; 赵超
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310185788.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26
作者: 唐兆云; 闫江
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| 一种FINFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410573220.3, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-05-18
作者: 刘云飞; 尹海洲
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410024925.X, 申请日期: 2018-09-04, 公开日期: 2015-07-22
作者: 钟汇才; 罗军; 朱慧珑
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410454224.X, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-04-06
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210258854.0, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2014-02-12
作者: 陈大鹏; 闫江; 殷华湘
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| 包括带电荷体侧墙的半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510746438.9, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2016-03-16
作者: 朱慧珑; 魏星
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