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| 横向多孔GaN的晶圆级可控制备及其光电器件研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 李晓东
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| 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 专利
申请日期: 2019-07-26, 公开日期: 2019-07-26
作者: 张宇; 魏斌
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/04 |
| 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 专利
专利号: CN110061109A, 申请日期: 2019-07-26, 公开日期: 2019-07-26
作者: 张宇; 魏斌
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109873297A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 张宇; 魏斌
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 专利
专利号: CN108718030A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉
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| 基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法 专利
专利号: WO2018184288A1, 申请日期: 2018-10-11, 公开日期: 2018-10-11
作者: 赵丽霞; 杨超; 刘磊
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种高质量GaN薄膜及其制备方法 专利
专利号: CN108538977A, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2018-09-14
作者: 贾伟; 樊腾; 李天保; 仝广运; 董海亮
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN基蓝光发光二极管的制备方法 专利
申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2018-09-11
作者: 肖洪地; 曹得重; 杨小坤
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| 横向多孔GaN及其光催化和谐振腔光电器件研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2018
作者: 杨超
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2018/06/01 |
| 一种大面积、高反射率氮化镓/纳米多孔氮化镓分布布拉格反射镜的制备方法 专利
专利号: CN107895690A, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
作者: 肖之光
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/30 |
