基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法

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	基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法
	赵丽霞; 杨超; 刘磊
	2018-10-11
著作权人	中国科学院半导体研究所
专利号	WO2018184288A1
国家	世界知识产权组织
文献子类	发明申请
其他题名	基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法
英文摘要	一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及其制备方法，其中芯片包括：一衬底(10)；制作在衬底(10)上的缓冲层(11)；制作在缓冲层(11)上的底部多孔DBR层(12)；制作在底部多孔DBR层(12)上的n型掺杂GaN层(13)及外围向下刻蚀形成有台面(13')；制作在n型掺杂GaN层(13)上的有源层(14)；制作在有源层(14)上的电子阻挡层(15)；制作在电子阻挡层(15)上的p型掺杂GaN层(16)；制作在p型掺杂GaN层(16)上的电流限制层(17)，其中心形成有电流窗口(17')，且电流限制层(17)覆盖有源层(14)、电子阻挡层(15)和n型掺杂GaN层(13)凸起部分(13")的侧壁；制作在p型掺杂GaN层(16)上的透明电极(18)；制作在n型掺杂GaN层(13)台面(13')上的n电极(20)；制作在透明电极(18)上的p电极(21)，中间形成有凹缺；制作在p电极(21)凹缺内透明电极(18)上的介质DBR层(19)。
公开日期	2018-10-11
申请日期	2017-06-01
状态	未确认
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57053]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵丽霞,杨超,刘磊. 基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法. WO2018184288A1. 2018-10-11.