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| 一种应用于钕铁硼的非晶铝锰涂层的HIPIMS制备方法 专利
专利号: ZL202010418357.7, 申请日期: 2021-03-05, 公开日期: 2021-03-05
作者:
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| 变结构反应离子刻蚀腔室流场热场的数值仿真 期刊论文
激光技术, 2020, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 136-142
作者: 张景文; 范斌; 李志炜; 汉语
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| 基于布拉格光栅的高功率半导体激光器 专利
专利号: CN109863655A, 申请日期: 2019-06-07, 公开日期: 2019-06-07
作者: P·A·莫顿
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 变结构反应离子刻蚀腔室流场热场的数值仿真 期刊论文
激光技术, 2019, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 136-142
作者: 张景文; 范斌; 李志炜; 汉语
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2021/05/11
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| 半导体晶片及其制造方法 专利
专利号: CN109378368A, 申请日期: 2019-02-22, 公开日期: 2019-02-22
作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种大功率LED用陶瓷覆铜板的低温制备方法 专利
专利号: CN109037421A, 申请日期: 2018-12-18, 公开日期: 2018-12-18
作者: 刘旭焱; 屈重年; 海静; 李果; 张聪正
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| 太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法 专利
专利号: CN104538844B, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 姚辰; 曹俊诚
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| 光纤端面泵浦布儒斯特角腔内选频355nm紫外激光器 专利
专利号: CN104716554B, 申请日期: 2018-10-02, 公开日期: 2018-10-02
作者: 曾军河; 李建军
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| 用牺牲金属催化剂直接在绝缘子上生成无迁移、无岩性、快速生长的模式CVD石墨烯 科技动态
2018
作者: yaoxn@llas.ac.cn
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| 一种无温漂的片上集成激光器及其制备方法 专利
专利号: CN108123365A, 申请日期: 2018-06-05, 公开日期: 2018-06-05
作者: 张宇光; 胡晓; 肖希; 冯朋; 陈代高
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