| 太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法 | |
| 姚辰; 曹俊诚 | |
| 2018-10-26 | |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 专利号 | CN104538844B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提出了一种太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法，至少包括：脊波导结构；脊波导结构包括半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、下接触层、有源区、上接触层、导热绝缘层、上金属层及下金属层。通过在器件侧面淀积导热绝缘层并覆盖金属，提供了器件横向的散热通道，较以往侧壁未覆盖金属的THz QCL散热能力更强。采用倒装封装方法，支撑基片采用硅等热导率高的材料，比正常封装器件的半绝缘GaAs衬底散热能力提高，同时具有更大的电极面积，也利于器件散热。新结构提高了THz QCL的温度特性、能量效率，有利于器件在连续或高占空比的脉冲状态下工作；器件制作方法可由标准半导体工艺制作，适于工业量产。 |
| 公开日期 | 2018-10-26 |
| 申请日期 | 2015-01-27 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49325]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚辰,曹俊诚. 太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法. CN104538844B. 2018-10-26. |
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