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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101567394, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28 杨恒; 成海涛; 戴斌; 吴燕红; 李昕欣; 王跃林 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 栅耦合型静电泄放保护结构设计 期刊论文 物理学报, 2007 王源; 贾嵩; 孙磊; 张钢刚; 张兴; 吉利久 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/11 静电泄放  栅耦合  金属氧化物半导体场效应管  压焊块电容  electrostatic discharge  gate-coupled  metal-oxide-semiconductor field-effect transistor  pad capacitance