栅耦合型静电泄放保护结构设计

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.072

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	栅耦合型静电泄放保护结构设计; Design of a gate-coupled electrostatic discharge protection structure
	王源 ; 贾嵩 ; 孙磊 ; 张钢刚 ; 张兴 ; 吉利久
刊名	物理学报
	2007
关键词	静电泄放栅耦合金属氧化物半导体场效应管压焊块电容 electrostatic discharge gate-coupled metal-oxide-semiconductor field-effect transistor pad capacitance
DOI	10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.072
英文摘要	提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题,而且节省了版图面积,提高了ESD失效电压.0.5μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明,该结构人体模型ESD失效电压超过8kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法,能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值.; A novel gate-coupled electrostatic discharge (ESD) protection structure, called bonding-pad capacitance gate-coupled device, is designed. The new structure solves the problem of the traditional gcMOS device not being able to give correct transient response to some specific ESD events. The device layout area is also reduced. The measured results show that the novel structure has a 26%-41% layout area reduction and a high ESD robustnesss greater than 8 kV in a standard 0.5 mu m single poly triple metal complementary metal-oxide-semiconductor process.; http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&KeyUT=WOS:000252018900072&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&UsrCustomerID=8e1609b174ce4e31116a60747a720701 ; SCI(E); EI; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 4; 12; 7242-7247; 56
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/173062]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	王源,贾嵩,孙磊,等. 栅耦合型静电泄放保护结构设计, Design of a gate-coupled electrostatic discharge protection structure[J]. 物理学报,2007.
APA	王源,贾嵩,孙磊,张钢刚,张兴,&吉利久.(2007).栅耦合型静电泄放保护结构设计.物理学报.
MLA	王源,et al."栅耦合型静电泄放保护结构设计".物理学报 (2007).