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| 等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法 专利
专利号: CN110176398A, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
作者: 张鹏 ; 许聪基; 赖铭智
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| 一种高折射率半导体表面减反钝化复合结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN103132084B, 申请日期: 2016-06-15,
作者: 张瑞英
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| 一种半导体激光器腔镜制备方法 专利
专利号: CN104377543A, 申请日期: 2015-02-25, 公开日期: 2015-02-25
作者: 吴建耀; 宋克昌; 杨国文
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| 钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构及制备方法 专利
申请日期: 2012-11-09,
作者: 邱颖斌; 吴凯; 陈宏; 卢烁今; 谈景飞
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| p-CZT的钝化处理和C-V特性研究 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG200603022&dbname=CJFQ2006, 2012, 2012
李强; 介万奇; 付莉; 汪晓芹; 查刚强; 杨戈
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| 荧光免疫生物传感器中生物耦联活性及相关荧光性质研究 学位论文
博士, 长春光学精密机械与物理所: 中国科学院长春光学精密机械与物理所, 2007
朝克夫
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| 从单晶体表面清除非晶体氧化物 专利
专利号: CN1695225A, 申请日期: 2005-11-09, 公开日期: 2005-11-09
作者: 小约翰·L·爱德华兹; 魏毅; 德克·C·乔丹; 胡晓明; 詹姆斯·布拉德利·卡拉格
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| ZnO量子点中激子的基态特性及表面修饰对光学性质的影响 学位论文
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2004
作者: 王志军
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| 硫钝化GaP半导体表面性质的研究 学位论文
2001, 2001
陈祖辉
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2016/02/14
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| GaAs功率MESFET钝化的研究 学位论文
1998
作者: 曹昕
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/07
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