一种半导体激光器腔镜制备方法 | |
吴建耀; 宋克昌; 杨国文 | |
2015-02-25 | |
著作权人 | 西安立芯光电科技有限公司 |
专利号 | CN104377543A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种半导体激光器腔镜制备方法 |
英文摘要 | 本发明属于半导体表面改性技术领域,具体涉及一种半导体激光器腔镜制备方法,包括以下步骤:步骤一,清洁;步骤二,钝化改性;步骤三,介质膜镀膜;步骤四,翻转,重复步骤一到步骤三,步骤五,移出;该半导体激光器腔镜改性方法,可以兼容化学和物理表面改性技术,提高了表面处理的选择性和完整性;使表面清洁,钝化改性和双面腔镜介质膜镀膜在同一真空腔中一次完成,减少了样品进出操作次数和可能带来的污染和损坏,提高了成本率,并极大提高了生产效率;本方法在同一设备基础上集成了表面清洁,改性钝化和介质膜技术,使表面处理各步骤建立了无缝衔接,提高了成品的性能以及成品率;更进一步,双端面介质膜腔镜的处理也一步完成,更强化了生产效率和质量稳定性;本方法适合批量处理,生产效率高,综合成本低。 |
公开日期 | 2015-02-25 |
申请日期 | 2014-11-14 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91473] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 西安立芯光电科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴建耀,宋克昌,杨国文. 一种半导体激光器腔镜制备方法. CN104377543A. 2015-02-25. |
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