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稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  雷琪琪
收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2020/11/19
三五族化合物半导体材料的分子束外延技术研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  苏大鸿
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/09/22
新型二维过渡金属薄膜材料的制备与研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2019
作者:  孙浩亮
收藏  |  浏览/下载:54/0  |  提交时间:2019/12/24
基于低维结构的跨光谱高效锑化物红外探测器研究 学位论文
西安: 西安交通大学(光机所联合培养), 2019
作者:  郭春妍
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2019/06/20
一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法 专利
专利号: CN105449521B, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14
作者:  万文坚;  曹俊诚
收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2019/12/26
一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法 专利
专利号: CN105449521B, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14
作者:  万文坚;  曹俊诚
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/26
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 171-174
作者:  许佳佳;  黄敏;  徐庆庆;  徐志成;  王芳芳
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2019/11/13
硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 专利
专利号: CN109003888A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
作者:  李国强;  高芳亮
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析 期刊论文
光电子.激光, 2018, 卷号: 第29卷 第9期, 页码: 933-937
作者:  杨维凯;  王海龙;  曹春芳;  严进一;  赵旭熠
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/12/26
In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性 期刊论文
2018, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 107-112
作者:  
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