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| 稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 雷琪琪
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| 三五族化合物半导体材料的分子束外延技术研究 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 苏大鸿
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| 新型二维过渡金属薄膜材料的制备与研究 学位论文 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2019 作者: 孙浩亮
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| 基于低维结构的跨光谱高效锑化物红外探测器研究 学位论文 西安: 西安交通大学(光机所联合培养), 2019 作者: 郭春妍
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| 一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法 专利 专利号: CN105449521B, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14 作者: 万文坚; 曹俊诚
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法 专利 专利号: CN105449521B, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14 作者: 万文坚; 曹俊诚
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究 期刊论文 红外与毫米波学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 171-174 作者: 许佳佳; 黄敏; 徐庆庆; 徐志成; 王芳芳
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| 硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 专利 专利号: CN109003888A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14 作者: 李国强; 高芳亮
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| 2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析 期刊论文 光电子.激光, 2018, 卷号: 第29卷 第9期, 页码: 933-937 作者: 杨维凯; 王海龙; 曹春芳; 严进一; 赵旭熠
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| In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性 期刊论文 2018, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 107-112 作者:
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