| In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性 | |
| 袁正兵; 肖清泉; 杨文献; 肖梦; 吴渊渊; 谭明; 代盼; 李雪飞; 谢泉; 陆书龙 | |
| 2018 | |
| 卷号 | 47期号:3页码:107-112 |
| 关键词 | 雪崩光电二极管 低暗电流 宽响应范围 分子束外延 Zn扩散 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6225738 |
| 专题 | 贵州大学 |
| 作者单位 | 1.[1]贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025 2.[2]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁正兵,肖清泉,杨文献,等. In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性[J],2018,47(3):107-112. |
| APA | 袁正兵.,肖清泉.,杨文献.,肖梦.,吴渊渊.,...&陆书龙.(2018).In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性.,47(3),107-112. |
| MLA | 袁正兵,et al."In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性".47.3(2018):107-112. |
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