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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 硅基锗薄膜的选择性外延生长 期刊论文 2017, 卷号: 54, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  吴细鹏;  王桂磊;  李志华;  唐波;  张青竹 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 减压化学气相沉积(RPCVD)  选择性外延  锗(Ge)  硅基探测器  光电器件   SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究 期刊论文 材料导报, 2012, 期号: 14, 页码: 22-24+32 作者:  陈达;  刘林杰;  薛忠营;  刘肃;  贾晓云 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 薄膜  减压化学气相沉积  硅锗  负载影响   SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究 期刊论文 材料导报, 2012, 期号: 14, 页码: 22-24+32 陈达; 刘林杰; 薛忠营; 刘肃; 贾晓云 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/02/22 薄膜  减压化学气相沉积  硅锗  负载影响   多层复合结构应变硅材料的生长和特性 期刊论文 2010, 2010 梁仁荣; 王敬; 徐阳; 许军; 李志坚; LIANG Renrong; WANG Jing; XU Yang; XU Jun; LI Zhijian 收藏  |  浏览/下载：4/0