SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究

	SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究
	陈达; 刘林杰; 薛忠营; 刘肃; 贾晓云
刊名	材料导报
	2012-07-25
期号	14 页码:22-24+32
关键词	薄膜减压化学气相沉积硅锗负载影响
其他题名	SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究
中文摘要	利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性。结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102903]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈达,刘林杰,薛忠营,等. SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究[J]. 材料导报,2012(14):22-24+32.
APA	陈达,刘林杰,薛忠营,刘肃,&贾晓云.(2012).SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究.材料导报(14),22-24+32.
MLA	陈达,et al."SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究".材料导报 .14(2012):22-24+32.