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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  席善学 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/07/15 总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型   一种新型硅基衬底半绝缘结构的研究 期刊论文 2016, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: 740-745 作者:  马奎;  杨发顺 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 半绝缘  纵向器件  多次外延  多次选择性掺杂  介质隔离槽