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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 纳米氧化锌能带工程及性能研究 学位论文 博士, 福建物质结构研究所: 中国科学院福建物质结构研究所, 2008 邱晓清 收藏  |  浏览/下载：215/0  |  提交时间：2013/05/09 氧化锌  纳米结构  能带工程  光催化  稀磁半导体   TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 4，44-46,50 作者:  连军;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/26 Fdsoi  Cmos  中间禁带功函数  抬高源漏结构   TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 5，6-10 作者:  连军;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/26 Fdsoi  Cmos  中间禁带功函数  Tin