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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种MOS晶体管的制造方法 专利 专利号: CN201310713804.1, 申请日期: 2018-03-16, 公开日期: 2015-06-24 作者:  刘云飞;  尹海洲;  李睿 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/14 像素级数字紫外焦平面研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  张文静 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/09/11 紫外焦平面  读出电路  像素级模数转换  多通道位串行  信噪比   三漏CMOS磁敏开关的设计 期刊论文 传感器技术, 2005, 卷号: 24, 页码: 53-54,57 作者:  樊大伟[1];  严利民[2];  汪东旭[3];  丛锋[4] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/05/10 磁敏开关  三漏MOS晶体管  高灵敏度   基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/08/31