| 三漏CMOS磁敏开关的设计 | |
| 樊大伟[1]; 严利民[2]; 汪东旭[3]; 丛锋[4] | |
| 刊名 | 传感器技术
 |
| 2005 | |
| 卷号 | 24页码:53-54,57 |
| 关键词 | 磁敏开关 三漏MOS晶体管 高灵敏度 |
| ISSN号 | 1000-9787 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2401360 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | [1] 上海大学,微电子研究与开发中心, 上海 200072, 中国[2] 上海大学,微电子研究与开发中心, 上海 200072, 中国[3] 上海大学,微电子研究与开发中心, 上海 200072, 中国[4] 上海大学,微电子研究与开发中心, 上海 200072, 中国 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樊大伟[1],严利民[2],汪东旭[3],等. 三漏CMOS磁敏开关的设计[J]. 传感器技术,2005,24:53-54,57. |
| APA | 樊大伟[1],严利民[2],汪东旭[3],&丛锋[4].(2005).三漏CMOS磁敏开关的设计.传感器技术,24,53-54,57. |
| MLA | 樊大伟[1],et al."三漏CMOS磁敏开关的设计".传感器技术 24(2005):53-54,57. |
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