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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 RF—MBE生长的高Al势垒层AlGaN／GaNHEMT结构 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 5，1116-1120 作者:  李晋闽;  曾一平;  王晓亮;  王翠梅;  胡国新 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/26 高电子迁移率晶体管  Gan  二维电子气  Rf-mbe  功率器件   RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125 作者:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘新宇;  刘键 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 高电子迁移率晶体管  氮化镓  场效应晶体管  Rf—mbe