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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of Large-Area 2D MoS2(l_,)Se2, Semiconductor 期刊论文 ADVANCED MATERIALS, 2014, 卷号: 26, 期号: 17, 页码: 2648-2653 作者:  Feng, QL;  Zhu, YM;  Hong, JH;  Zhang, M;  Duan, WJ 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2015/05/21 chemical vapor deposition  two-dimensional materials  semiconductor alloys  tunable bandgaps  electrical properties  molybdenum