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兰州大学 [8]
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会议论文 [1]
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Switching performances of static induction thyristor with buried-gate structure
期刊论文
SCIENCE CHINA-CHEMISTRY, 2014, 卷号: 57, 期号: 6, 页码: -
作者:
Liu, CJ
;
Liu, S
;
Bai, YJ
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/05/25
static induction thyristor
switching performance
potential barrier
two-dimensional dynamical model
gate driving
Dependence of transient performance on potential distribution in a static induction thyristor channel
期刊论文
半导体学报/Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 69-74
作者:
Liu CJ(刘春娟)
;
Liu S(刘肃)
;
Bai YJ(白雅洁)
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/10/21
static induction thyristor
potential barrier
transient performance
blocking state
conducting state
Potential Barrier Height Depedence on Biased Voltages of Static Induction Thyristors
会议论文
2012 IEEE 7th International Power Electronics and Motion Control Conference - ECCE Asia, IPEMC 2012, Harbin, China, June 2, 2012 - June 5, 2012
作者:
Jianhong Yang
;
Xiaoyan Sheng
;
Ying Wei
;
Xueyuan Cai
;
Feihu Zhao
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/09/25
Nuclear physics
Motion control
Power electronics
Thyristors
Anode currents
Biased voltage
Cathode currents
High frequency circuits
Numerical simulators
Potential barrier height
SITh
Static induction thyristors
Static inductions
Switching characteristics
Working frequency
Improvement on the dynamical performance of a power bipolar static induction transistor with a buried gate structure
期刊论文
半导体学报/Journal of Semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 11, 页码: 60-64
作者:
Wang YS(王永顺)
;
Feng JJ(冯晶晶)
;
Liu CJ(刘春娟)
;
Wang ZX(汪再兴)
;
Zhang CZ(张彩珍)
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/06/24
bipolar static induction transistor
dynamical parameters
transient processes
potential barrier
power consumption
Improvements on radiation-hardened performance of static induction transistor
期刊论文
SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2010, 卷号: 53, 期号: 5, 页码: 1089-1096
作者:
Wang, YS
;
Luo, XL
;
Li, HR
;
Wang, ZT
;
Wu, R
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/05/25
static induction transistor
radiation-resistant
potential barrier
electron beam
radiation-generated carriers
Exponential dependence of potential barrier height on biased voltages of inorganic/organic static induction transistor
期刊论文
半导体学报/Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 20-24
作者:
Zhang Y(张雍)
;
Yang JH(杨建红)
;
Cai XY(蔡雪原)
;
Wang ZX(汪再兴)
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2016/10/21
SIT
OSIT
potential barrier height
normalized approach
Ⅰ-Ⅴcharacteristics
Photo-sensitive characteristics of negative resistance turn-around occurring in SIPTH
期刊论文
半导体学报/Journal of Semiconductors, 2009, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 44-47
作者:
Ji T(季涛)
;
Yang LC(杨利成)
;
Li HR(李海蓉)
;
He SH(何山虎)
;
Li SY(李思渊)
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/10/21
static induction photosensitive thyristors
gate series resistance
double injection effect
potential barrier
light-generated carriers
Space Charges Effect of Static Induction Transistor
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 423-428
作者:
Chen JH(陈金伙)
;
Liu S(刘肃)
;
Wang YS(王永顺)
;
Li SY(李思渊)
;
Zhang FJ(张福甲)
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/28
静电感应晶体管
空间电荷效应
空间电荷势垒
沟道势垒
SCLC
CVBC
Channel barrier
Channel voltage barrier control (CVBC)
I-V equation
Space charge effect (SCE)
Space charge limited control (SCLC)
Space charge potential barrier
Static induction transistor (SIT)
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