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物理研究所 [4]
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Atomistic modeling of electron-phonon coupling and transport properties in n-type [110] silicon nanowires
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2010, 卷号: 82, 期号: 11
Zhang, WX
;
Delerue, C
;
Niquet, YM
;
Allan, G
;
Wang, EG
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/17
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
CARRIER MOBILITY
ENHANCEMENT
GATE
PERFORMANCE
SI
Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET
期刊论文
MICRON, 2009, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 274
Liu, HH
;
Duan, XF
;
Xu, QX
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/17
BEAM ELECTRON-DIFFRACTION
HOLE MOBILITY ENHANCEMENT
ELASTIC RELAXATION
LAYER SUPERLATTICES
EFFECT TRANSISTORS
CMOS PERFORMANCE
SILICON
SPECIMENS
PMOSFETS
Study of strained-silicon channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction
期刊论文
ULTRAMICROSCOPY, 2008, 卷号: 108, 期号: 9, 页码: 816
Liu, HH
;
Duan, XF
;
Xu, QX
;
Liu, BG
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提交时间:2013/09/24
LAYER SUPERLATTICES
MOBILITY ENHANCEMENT
ELASTIC RELAXATION
SPECIMENS
CRYSTALS
Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 26
Liu, HH
;
Duan, XF
;
Qi, XY
;
Xu, QX
;
Li, HO
;
Qian, H
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/09/24
MOBILITY ENHANCEMENT
LAYER SUPERLATTICES
ELASTIC RELAXATION
SPECIMENS
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