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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Impact of TID on latch up induced by pulsed irradiation in CMOS circuits 期刊论文 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2019, 卷号: 440, 页码: 95-100 作者:  Li, Ruibin;  He, Chaohui;  Chen, Wei;  Li, Junlin;  Wang, Chenhui 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/19 Base recombination currents  Dose rate  Latch-ups  Oxide trapped charge  Pulsed irradiation  Shallow trench isolation  Surface recombinations  Total Ionizing Dose   The total ionizing dose effect on SiO2 and new high-k gate dielectrics under gamma-ray irradiation 会议论文 作者:  Ding, Man;  Cheng, Yonghong 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/11/19 Equivalent oxide thickness  Gamma irradiation  Gamma-ray irradiation  Interface trapped charges  Silicon dangling bond  Thermally oxidized  Total ionizing dose effects  Trapping efficiencies   Impact of Bias Conditions on Total Ionizing Dose Effects of Co-60 gamma in SiGe HBT 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2016, 卷号: 63, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 1251-1258 作者:  Zhang, Jinxin;  Guo, Qi;  Guo, Hongxia;  Lu, Wu;  He, Chaohui 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/02 total ionizing dose effect  SiGe HBT  Co-60 gamma irradiation  Bias conditions   Design and effect analysis of sensitive switch for transient ionizing radiation 期刊论文 Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology, 2014, 卷号: 48, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 712-716 作者:  Li, Rui-Bin;  Chen, Wei;  Wang, Gui-Zhen;  Lin, Dong-Sheng;  Qi, Chao 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/02 Driving performance  Electro-Static Discharge (ESD)  Electronic device  High performance switches  Ionizing irradiation  Latch-ups  Radiation environments  Transient radiation