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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 纳米硅薄膜退火特性 期刊论文 物理学报, 1995, 期号: 4, 页码: 634-639 作者:  余明斌;  何宇亮;  刘洪涛;  罗晋生 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 氢含量  退火温度  晶态比  硅薄膜  暗电导率  透射率谱  光学带隙