| 纳米硅薄膜退火特性 | |
| 余明斌; 何宇亮; 刘洪涛; 罗晋生 | |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 1995 | |
| 期号 | 4页码:634-639 |
| 关键词 | 氢含量 退火温度 晶态比 硅薄膜 暗电导率 透射率谱 光学带隙 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CSCD ; PKU |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6644468 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余明斌,何宇亮,刘洪涛,等. 纳米硅薄膜退火特性[J]. 物理学报,1995(4):634-639. |
| APA | 余明斌,何宇亮,刘洪涛,&罗晋生.(1995).纳米硅薄膜退火特性.物理学报(4),634-639. |
| MLA | 余明斌,et al."纳米硅薄膜退火特性".物理学报 .4(1995):634-639. |
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