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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：清华大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜 期刊论文 http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=DZAL200902031&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012 彭冬生; 冯玉春; 牛憨笨 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/06/15 无机非金属材料  MOCVD  综述  横向外延过生长  GaN  薄膜   面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究 会议论文 中国珠海 海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会 罗毅; 胡卉; 韩彦军; 郭文平; 邵嘉平; 薛松; 孙长征; 郝智彪 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/06/15 氮化镓(GaN)  发光二极管(LED)  材料外延  干法刻蚀