面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究

CORC > 清华大学

	面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究
	罗毅 ; 胡卉 ; 韩彦军 ; 郭文平 ; 邵嘉平 ; 薛松 ; 孙长征 ; 郝智彪
	2012-04-22 ; 2012-04-22
会议名称	中国珠海海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会
关键词	氮化镓(GaN) 发光二极管(LED) 材料外延干法刻蚀
中文摘要	综述了清华大学电子系集成光电子学国家重点实验室在面向半导体照明的氮化镓发光二极管产业化技术研究方面的近期进展。我们在LED芯片的电致发光光谱特性、AlGaN/GaN材料的刻蚀平整度和选择性刻蚀技术上获得了国际文献报道的最好水平。目前,本实验室研制的LED芯片的主要技术指标已经达到半导体照明的初期要求。
会议录	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGVU200312001013&dbname=CPFD2003
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/3821]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	罗毅,胡卉,韩彦军,等. 面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究[C]. 见:中国珠海海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会.