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武汉大学 [5]
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期刊论文 [5]
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内容类型:期刊论文
专题:武汉大学
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Light-controlled resistive switching and voltage-controlled photoresponse characteristics in the Pt/CeO2/Nb:SrTiO3 heterostructure
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 778
作者:
Xie, Shuai
;
Pei, Ling
;
Li, Meiya
;
Zhu, Yongdan
;
Cheng, Xiangyang
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2019/12/05
Pt/CeO2/Nb
SrTiO3 heterostructure
Light-controlled resistive switching
Voltage-controlled photoresponse
Schottky barrier
Electrons trapping/detrapping
Multilevel memory
Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2018, 卷号: 30, 期号: 14
作者:
Zhao, Xiaolong
;
Ma, Jun
;
Xiao, Xiangheng
;
Liu, Qi
;
Shao, Lin
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/05
conductive filaments (CF)
defective graphene
ion barriers
resistive switching memory
threshold switching
Characteristics of the bipolar resistive switching behavior in memory device with Au/ZnO/ITO structure
期刊论文
CHINESE JOURNAL OF PHYSICS, 2018, 卷号: 56, 期号: 6
作者:
Wang, Hongjun
;
Zhu, Yuanyuan
;
Liu, Yong
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/05
ZnO
Resistive switching
Memory
Conducting filament
Coexistence of bipolar and unipolar resistive switching characteristics of thin TiO2 film grown on Cu foil substrate for flexible nonvolatile memory device
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 695
作者:
Wang, Hongjun
;
Zhu, Yuanyuan
;
Fu, Dejun
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/05
Resistive switching
TiO2
Memory device
Conducting filaments
Highly improved resistive switching performances of the self-doped Pt/HfO2:Cu/Cu devices by atomic layer deposition
期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2016, 卷号: 59, 期号: 12
作者:
Liu, Sen
;
Wang, Wei
;
Li, QingJiang
;
Zhao, XiaoLong
;
Li, Nan
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提交时间:2019/12/05
resistive switching
nonvolatile memory
ECM
Cu dopant
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