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半导体研究所 [1]
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硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
何超
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/06/02
Si 基发光器件
Ge/Si 量子点
Ge/SiGe 量子阱
Ge 薄膜
能带改性Si基应变Ge材料的制备及其发光性质
学位论文
2014, 2014
黄诗浩
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/01/12
能带工程
张应变锗
Si基Ge外延材料
绝缘层上硅锗/锗材料
室温光致发光
Si基SiGe/Ge/SiGe异质结构
Band engineering
Tensile strained Ge
Ge-on-Si
SGOI/GOI
Room temperature photoluminescence
Si-based SiGe/Ge/SiGe heterostructures
Si基Ge材料的外延生长、原位掺杂及其光电性质
学位论文
2012, 2012
陈城钊
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/02/14
低温锗缓冲层技术
SiGe/Ge 超晶格
原位掺杂
Si 基Ge PN结
Low temperature buffer technique
trained layer superlattices(SLSs)
in situ doping
Si-based Ge PN junction
SOI-based Ge PIN structure
Si基Ge/SiGe异质结构设计、外延及发光性质研究
学位论文
2011, 2010
陈阳华
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/02/14
低温Ge缓冲层技术
Si基Ge外延材料
Si基Ge/SiGe异质结构
室温光致发光
low-temperature Ge buffer layer
Si-based Ge epilayer
Si-based tensile-strained Ge/SiGe heterostructures
room temperature photoluminescence
高质量Si基Ge材料外延生长及其MOS结构界面特性研究
学位论文
2011, 2011
郑元宇
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/02/14
低温Ge缓冲层
SiGe/Ge多量子阱
原位掺杂
Si基Ge MOS结构
氧化物/Ge界面
low temperature Ge buffer
SiGe/Ge MQW
in situ doping
Si-based Ge MOS structure
oxide/Ge interface
Si基SiGe、Ge弛豫衬底生长及其Ge光电探测器研制
学位论文
2009, 2009
周志文
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/02/14
低温缓冲层技术
硅锗弛豫衬底
锗薄膜
光电探测器
Low temperature buffer technique
Relaxed-SiGe substrates
Ge films
Photodetectors
Si基SiGe弛豫衬底及SiGe/Si量子阱生长与表征
学位论文
2009, 2009
廖凌宏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/02/14
UHV/CVD系统
SiGe弛豫衬底
低温Ge层
SiGe/Si量子阱
UHV/CVD system
strain relaxed SiGe buffer
LT Ge layer
SiGe quantum wells
氧化法制备硅基SiGe弛豫衬底的研究
学位论文
2008, 2008
蔡坤煌
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/02/14
SiGe弛豫衬底
SiGeOI缓冲层
氧化
Ge浓缩
SiGe buffer layer
SiGeOI layer
Oxidation
Ge-condensation
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