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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Engineering (provided by Thomson Reuters)     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 运算放大器  60Coγ辐照  退火  剂量率效应   栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系 期刊论文 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学锋;  郑毓峰 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 CMOS运算放大器  跨导  栅氧层  氧化物电荷  界面态   JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 JFET输入双极运算放大器  60Coγ辐照  剂量率效应  退火   CMOS运算放大器的辐照和退火行为 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 731-734 作者:  任迪远;  陆妩;  郭旗;  余学锋;  王明刚 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/29 CMOS运算放大器  电离辐射  退火   不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 780-784 作者:  任迪远;  陆妩;  余学锋;  郭旗;  张国强 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/11/29 注FCMOS运算放大器  电离辐照  跨导