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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Spin and momentum filtering of electrons on the surface of a topological insulator 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 16, 页码: article no.162101 作者:  Wu ZH 收藏  |  浏览/下载：27/3  |  提交时间：2011/07/05 SINGLE DIRAC CONE  GRAPHENE  BI2TE3  PHASE   Electrically Controllable Surface Magnetism on the Surface of Topological Insulators 期刊论文 physical review letters, 2011, 卷号: 106, 期号: 9, 页码: article no.97201 Zhu JJ; Yao DX; Zhang SC; Chang K 收藏  |  浏览/下载：42/3  |  提交时间：2011/07/05 HGTE QUANTUM-WELLS  SINGLE DIRAC CONE  SPIN CHIRALITY  PHASE  BI2TE3   Magnetic quantum oscillations for the surface states of topological insulator Bi2Se3 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 8, 页码: art. no. 085429 Wang ZG (Wang Zhigang); Fu ZG (Fu Zhen-Guo); Wang SX (Wang Shuang-Xi); Zhang P (Zhang Ping) 收藏  |  浏览/下载：123/2  |  提交时间：2010/09/07 SINGLE DIRAC CONE  BI2TE3  WELLS  PHASE   Electron tunneling through double magnetic barriers on the surface of a topological insulator 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 11, 页码: art. no. 115211 Wu ZH (Wu Zhenhua); Peeters FM (Peeters F. M.); Chang K (Chang Kai) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/02 SINGLE DIRAC CONE  GRAPHENE  BI2TE3  PHASE   Quantum tunneling through planar p-n junctions in HgTe quantum wells 期刊论文 new journal of physics, 2010, 期号: 12, 页码: art. no. 083058 Zhang LB (Zhang L. B.); Chang K (Chang Kai); Xie XC (Xie X. C.); Buhmann H (Buhmann H.); Molenkamp LW (Molenkamp L. W.) 收藏  |  浏览/下载：146/5  |  提交时间：2010/09/20 SINGLE DIRAC CONE  TOPOLOGICAL INSULATORS  HALL  SURFACE  STATE  PHASE   Effect of counterpart on the tribological behavior and tribo-induced phase transformation of Si 期刊论文 tribology international, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 628-633 Li XC; Lu JJ; Yang SR 收藏  |  浏览/下载：59/24  |  提交时间：2010/03/08 Single crystal silicon  Phase transformation  Friction coefficient  Wear  Tribological counterpart   Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang J; Wang D; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 SINGLE CRYSTALLINE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  GALLIUM NITRIDE  001 SILICON  SAPPHIRE  SI  DEPOSITION  ALN