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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dynamics of formation of defects in annealed InP 会议论文 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Han YJ; Liu XL; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/10/29 defects formation  hydrogen related defects  semi-insulating  InP   On the nature of iron in InP: A FTIR study 会议论文 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Han YJ; Liu XL; Lao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 iron  phonon sideband  semi-insulating  InP   Growth of Fe doped semi-insulating InP by LP-MOCVD 会议论文 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Yan XJ; Zhu HL; Wang W; Xu GY; Zhou F; Ma CH; Wang XJ; Tian HL; Zhang JY; Wu RH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/10/29 semi-insulating  Fe-doped  MOCVD   Formation mechanism of defects in annealed InP 会议论文 spie conference on optoelectronic materials and devices, taipei, taiwan, jul 09-11, 1998 Han YJ; Liu XL; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/10/29 defects formation  hydrogen related defects  semi-insulating  InP   INVESTIGATION OF NEGATIVE TRANSIENT CURRENT OF ARGON-IMPLANTED GAAS USING PHOTOINDUCED TRANSIENT-CURRENT SPECTROSCOPY 期刊论文 semiconductor science and technology, 1992, 卷号: 7, 期号: 5, 页码: 668-675 LO VC; CHAN PW; XU SD; WONG SP 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 SEMI-INSULATING GAAS  GALLIUM-ARSENIDE