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近代物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
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2018 [1]
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Degradation mechanisms of optoelectric properties of GaN via highly-charged Bi-209(33+) ions irradiation
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 440, 页码: 814-820
作者:
Xian, Y. Q.
;
Zhang, L. Q.
;
Li, J. Y.
;
Su, C. H.
;
Chen, Y. G.
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提交时间:2018/05/22
GaN
Highly-charged bismuth-ion irradiation
Raman spectrum
Varying temperature photoluminescence (PL) spectrum
Optoelectric properties
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