×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
近代物理研究所 [2]
西安交通大学 [1]
江苏大学 [1]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2018 [4]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
发表日期:2018
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 086103
作者:
Zhao, Pei-Xiong
;
Liu, Tian-Qi
;
Ye, Bing
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
收藏
  |  
浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2018/10/08
flash memories
heavy ions
synergistic effect
total ionizing dose
Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 418, 页码: 80-86
作者:
Hou, Mingdong
;
Zhao, Peixiong
;
Luo, Jie
;
Ji, Qinggang
;
Ye, Bing
收藏
  |  
浏览/下载:58/0
  |  
提交时间:2018/05/31
Annealing
Flash memories
Heavy ions
Multiple cell upsets
Radiation effects
DLV: Exploiting Device Level Latency Variations for Performance Improvement on Flash Memory Storage Systems
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2018, 卷号: 37, 页码: 1546-1559
作者:
Cui, Jinhua
;
Zhang, Youtao
;
Wu, Weiguo
;
Yang, Jun
;
Wang, Yinfeng
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/11/26
low-density parity-check code (LDPC)
Flash memories
retention age (RA)
raw bit error rate (RBER)
out-of-order scheduler
process variation (PV)
Improving Write Performance and Extending Endurance of Object-Based NAND Flash Devices
期刊论文
ACM TRANSACTIONS ON EMBEDDED COMPUTING SYSTEMS, 2018, 卷号: 17, 期号: 1,SI
作者:
Guo, Jie[1]
;
Min, Chuhan[2]
;
Cai, Tao[3]
;
Chen, Yiran[4]
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/24
NAND flash memories
write amplification
performance
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace