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内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2018 [7]
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发表日期:2018
内容类型:期刊论文
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Heterogeneous CFs induced unipolar and bipolar resistive switching behaviors in InGaZnO thin films
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 767, 页码: 1057-1063
作者:
Li, Qin
;
Gao, Leiwen
;
Li, Yanhuai
;
Song, Zhongxiao
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/11/26
Conductive filaments
Non-volatile memory
Resistive switching
Unipolar and bipolar
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti/Si3N4/n-GaN MIS device
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/11/21
Annealing effect
Resistive switching
Nonvolatile memory
Metal-insulator-semiconductor
Data storage materials
Low leakage current resistive memory based on Bi-1.10 (Fe0.95Mn0.05) O-3 films
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: Vol.33 No.9
作者:
Li, Zhen
;
Yang, Zhengchun
;
Wu, Jiagang
;
Zhou, Baozeng
;
Bao, Qiwen
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/02/25
resistive random access memory (RRAM)
thin films
BiFeO3
Mn-doped
sputtering
lower leakage current
Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2018, 卷号: 30, 期号: 14
作者:
Zhao, Xiaolong
;
Ma, Jun
;
Xiao, Xiangheng
;
Liu, Qi
;
Shao, Lin
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/05
conductive filaments (CF)
defective graphene
ion barriers
resistive switching memory
threshold switching
Characteristics of the bipolar resistive switching behavior in memory device with Au/ZnO/ITO structure
期刊论文
CHINESE JOURNAL OF PHYSICS, 2018, 卷号: 56, 期号: 6
作者:
Wang, Hongjun
;
Zhu, Yuanyuan
;
Liu, Yong
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/05
ZnO
Resistive switching
Memory
Conducting filament
Reset Voltage-Dependent Multilevel Resistive Switching Behavior in CsPb1-xBixI3 Perovskite-Based Memory Device
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 页码: 24620-24626
作者:
Ge, Shuaipeng
;
Wang, Yuhang
;
Xiang, Zhongcheng
;
Cui, Yimin
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/30
CsPb1-xBixI3
perovskite
resistive switching
multilevel high-resistance states
memory device
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/09/17
Data storage materials
Resistive switching
Metal-insulator-semiconductor
Annealing effect
Nonvolatile memory
nonvolatile memory
behaviors
mechanism
breakdown
layer
power
ti
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Materials Science
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