QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Design optimisation of self-powered gate driver for ultra-fast DC solid-state circuit breakers using SiC JFETs 期刊论文 IET POWER ELECTRONICS, 2017, 卷号: Vol.10 No.15, 页码: 2149-2156 作者:  He, Dong;  Xiong, Zhijie;  Lei, Zhiqi;  Shuai, Zhikang;  Shen, Zheng John 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 silicon  compounds  wide  band  gap  semiconductors  circuit  breakers  junction  gate  field  effect  transistors  driver  circuits  DC-DC  power  convertors  power  distribution  protection  self-powered  gate  driver  ultra-fast  DC  solid-state  circuit  breakers  silicon  carbide  SiC  junction  gate  field-effect  transistor  JFET  DC  distribution  protection  self-powered  SSCB  solid-state  switch  optimised  gate  drivers  optimised  fault  detection  circuit  forward-flyback  DC-DC  converter  SSCB  gate  driver  fault  isolation  gate  driver  circuit  parameters  effect  protection  speed  Matlab  calculation  dynamic  response  voltage  400  V  SiC   Unwanted Turn-On of SiC JFET Bi-directional Switches under Influence of Parasitic Parameters 会议论文 IECON 2017 - 43RD ANNUAL CONFERENCE OF THE IEEE INDUSTRIAL ELECTRONICS SOCIETY, 2017-01-01 作者:  Wang, Lina;  Zhang, Xiangcai;  Deng, Jie;  Yang, Junyi;  Oladele, Olanrewaju Kabir 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/30 SiC JFET  bi-directional switch  direct-drive technology  unwanted turn-on  constant envelop oscillation