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科研机构
华南理工大学 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2016 [3]
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发表日期:2016
专题:华南理工大学
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Epitaxial growth of nonpolar GaN films on r-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition (EI收录)
期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2016, 卷号: 43, 页码: 82-89
作者:
Yang, Weijia[1]
;
Wang, Wenliang[1]
;
Wang, Haiyan[1]
;
Zhu, Yunnong[1]
;
Li, Guoqiang[1,2,3]
收藏
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提交时间:2019/04/24
Crystalline materials
Curve fitting
Deposition
Epitaxial films
Gallium nitride
Growth temperature
Pulsed laser deposition
Pulsed lasers
Sapphire
Surface roughness
A comparative study on the properties of c-plane and a-plane GaN epitaxial films grown on sapphire substrates by pulsed laser deposition (EI收录)
期刊论文
Vacuum, 2016, 卷号: 128, 页码: 158-165
作者:
Wang, Wenliang[1,2]
;
Yang, Weijia[1,2]
;
Wang, Haiyan[1,2]
;
Zhu, Yunnong[1,2]
;
Yang, Meijuan[1,2]
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提交时间:2019/04/24
Crystalline materials
Deposition
Epitaxial films
Full width at half maximum
Gallium alloys
Gallium nitride
Interfaces (materials)
Optical properties
Pulsed laser deposition
Pulsed lasers
Residual stresses
Sapphire
Surface roughness
Effect of residual stress on the microstructure of GaN epitaxial films grown by pulsed laser deposition (EI收录)
期刊论文
Applied Surface Science, 2016, 卷号: 369, 页码: 414-421
作者:
Wang, Haiyan[1,2]
;
Wang, Wenliang[1,2]
;
Yang, Weijia[1,2]
;
Zhu, Yunnong[1,2]
;
Lin, Zhiting[1,2]
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提交时间:2019/04/24
Atomic force microscopy
Crystalline materials
Deposition
Epitaxial films
Gallium nitride
Microstructure
Pulsed laser deposition
Pulsed lasers
Surface roughness
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