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半导体研究所 [2]
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湖南大学 [1]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [4]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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发表日期:2011
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Stress Control in GaN Grown on 6H-SiC by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 4
Chen, Y
;
Jiang, Y
;
Xu, PQ
;
Ma, ZG
;
Wang, XL
;
Wang, L
;
Jia, HQ
;
Chen, H
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/09/24
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
GALLIUM NITRIDE
BUFFER LAYERS
STRAIN
ALN
FILMS
HETEROSTRUCTURES
PHOTOLUMINESCENCE
Interface effect on the electronic structure and optical properties of InAs/GaSb superlattices
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 42, 页码: 425103
Lang, XL
;
Xia, JB
收藏
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浏览/下载:115/0
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提交时间:2012/01/06
GASB SUPER-LATTICE
SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
DEFORMATION POTENTIALS
II SUPERLATTICES
BAND PARAMETERS
DETECTORS
APPROXIMATION
TRANSITIONS
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
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浏览/下载:82/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Stress-induced phase transformation and strain rate effect in polycrystalline Mo nanowires
期刊论文
Physica E, 2011, 卷号: Vol.43 No.5, 页码: 1131-1139
作者:
Li, Xiaofan
;
Hu, Wangyu
;
Xiao, Shifang
;
Huang, Wei-Qing
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/05
MOLECULAR-DYNAMICS
SIMULATION
EMBEDDED-ATOM
POTENTIALS
POINT-DEFECT
PROPERTIES
MECHANICAL
DEFORMATION
METAL
NANOWIRES
NI
NANOWIRES
AMORPHIZATION
TEMPERATURE
SURFACE
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