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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface effect on the electronic structure and optical properties of InAs/GaSb superlattices 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 42, 页码: 425103 Lang, XL; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2012/01/06 GASB SUPER-LATTICE  SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES  DEFORMATION POTENTIALS  II SUPERLATTICES  BAND PARAMETERS  DETECTORS  APPROXIMATION  TRANSITIONS   Calculation method of image morphing and its applications 期刊论文 jisuanji fuzhu sheji yu tuxingxue xuebao/journal of computer-aided design and computer graphics, 2011, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 1304-1310 Wang, Shoujue; Liang, Xianyang 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2012/06/14 Blending  Deformation  Topology   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：81/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS