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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Carrier capture by threading dislocations in (In,Ga)N/GaN heteroepitaxial layers 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 12, 页码: art. no. 125314 作者:  Wang H;  Wang H;  Yang;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：122/5  |  提交时间：2010/04/28 GAN  ALLOYS   Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804 Lu GJ (Lu Guo-Jun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Wang YT (Wang Yu-Tian); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：110/2  |  提交时间：2010/04/22 metalorganic chemical vapor deposition  Al1-xInxN  gradual variation in composition  optical reflectance spectra  X-RAY-DIFFRACTION  PHASE EPITAXY  RELAXATION  FILMS  HETEROSTRUCTURES  SEPARATION  DYNAMICS  ALLOYS  REGION  LAYERS   Evaluation of both composition and strain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106802 Guo X (Guo Xi); Wang H (Wang Hui); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Wang YT (Wang Yu-Tian); Zhao DG (Zhao De-Gang); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/02 InGaN  In-plane grazing incidence x-ray diffraction  reciprocal space mapping  biaxial strain  CRITICAL LAYER THICKNESS  OPTICAL-PROPERTIES  LATTICE-CONSTANTS  GAN  HETEROSTRUCTURES  ALLOYS  WELLS   Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties 期刊论文 physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Qiu YX (Qiu Y. X.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/12/12 InGaN  Dislocation  Metalorganic chemical vapor deposition  High resolution X-ray diffraction  Cathodoluminescence  MISFIT DISLOCATIONS  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP  EPILAYERS  GENERATION  ALLOYS  INN