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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2009 [2]
学科主题
光电子学 [2]
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发表日期:2009
学科主题:光电子学
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High-Temperature Continuous-Wave Single-Mode Operation of 1.3 mu m p-Doped InAs-GaAs Quantum-Dot VCSELs
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2009, 卷号: 21, 期号: 17, 页码: 1211-1213
Xu DW
;
Yoon SF
;
Tong CZ
;
Zhao LJ
;
Ding Y
;
Fan WJ
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提交时间:2010/03/08
Quantum dot (QD)
single-mode
thermal stability
threshold current
vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)
Characteristic study of maximum modal gain of p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900
作者:
Ma WQ
;
Yang T
;
Cao YL
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提交时间:2010/03/08
maximum modal gain
p-doped
InAs/GaAs quantum dot laser
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