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ガリウム含有窒化物のバルク単結晶 专利
专利号: JP4358646B2, 申请日期: 2009-08-14, 公开日期: 2009-11-04
作者:  ロベルト·トマシュ·ドヴィリニスキ;  ロマン·マレク·ドラジニスキ;  レシェック·ピョートル·シェシュプトフスキ;  イエジ·ガルチニスキ;  神原 康雄
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半導体光学デバイスおよびその製造方法 专利
专利号: JP2003224330A, 申请日期: 2003-08-08, 公开日期: 2003-08-08
作者:  ホロニャック ニック ジュニア;  キッシュ フレッド エー.;  カラッチ ステファン ジェイ.;  エルゼイン ナダ
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個々の光学および電流ガイドを持つ垂直空胴表面発光レーザ 专利
专利号: JP1999243257A, 申请日期: 1999-09-07, 公开日期: 1999-09-07
作者:  レオ マリア チロヴスキー;  ルシアン アーサー デーアサロ;  ウィリアム スコット ホブソン;  サングー パーク フイ;  ロナルド ユージェン リーベングス
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化合物半導体ウェーハの接着方法 专利
专利号: JP1995221023A, 申请日期: 1995-08-18, 公开日期: 1995-08-18
作者:  フレッド·エイ·キッシュ·ジュニア;  デイヴィッド·エイ·ヴァンダーウォーター
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