| 化合物半導体ウェーハの接着方法 | |
| フレッド·エイ·キッシュ·ジュニア; デイヴィッド·エイ·ヴァンダーウォーター | |
| 1995-08-18 | |
| 著作权人 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー |
| 专利号 | JP1995221023A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体ウェーハの接着方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 2つの半導体表面の接着界面上の転移と点欠陥を最小にでき、かつ低い電気抵抗を有するオーミック伝導を生じる化合物半導体ウェーハの接着方法を提供することを目的とする。 【構成】 In0.Ga0.7 P層はTeをn形ドーパントとして利用してGaP:S基板上に格子をずらせた状態で有機金属CVDによって成長させ、化合物半導体としてグラファイト製アンビル固定具内で単軸圧力を加えて加熱し、半導体表面の表面配向と回転方向位置とを一致させ、n形In0.Ga0.7 Pをn形GaP:基板に接着し、2つの半導体の接着面の電流-電圧特性の曲線21が直線性を呈し、低オーミック伝導を達成する。 |
| 公开日期 | 1995-08-18 |
| 申请日期 | 1995-01-17 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50941]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | フレッド·エイ·キッシュ·ジュニア,デイヴィッド·エイ·ヴァンダーウォーター. 化合物半導体ウェーハの接着方法. JP1995221023A. 1995-08-18. |
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