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| ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响 期刊论文 半导体光电, 2017, 期号: 1, 页码: 61-65 作者: 操神送; 杜云辰; 朱龙源; 兰添翼; 赵水平 收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2018/11/20
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| 一种细长型的碲镉汞单元光导探测器 专利 专利号: 201010182345.5, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者: 1 王妮丽 2 刘诗嘉 3 赵水平 4 兰添翼 5 许金通 6姜佩璐 7 朱龙源 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2013/01/14 |
| 背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器 专利 专利号: 200910226302.X, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07 作者: 1 赵水平 2 朱龙源 3李向阳 4 刘诗嘉 5 兰添翼 6王妮丽 7 蔡子健 8 贾嘉 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2011/07/07 |
| 高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器 专利 专利号: 200910225371.9, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15 作者: 1 包西昌 2 朱龙源 3 李向阳 4 兰添翼5赵水平6王妮丽 7 刘诗嘉 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2011/12/15 |
| 碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法 专利 专利号: 200810036256.2, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者: 朱龙源 李向阳 王妮丽 刘诗嘉 储开慧 赵水平 兰天翼 刘向阳 张红妹 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2011/07/06 |
| 铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法 专利 专利号: 200710171389.6, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者: 1张可锋2唐恒敬3吴小利4徐国庆5李雪 6朱龙源7龚海梅 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2011/07/06 |
| 甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法 专利 专利号: 200610031016.4, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者: 1朱龙源 2龚海梅 3李向阳 4宋润秋 5王妮丽 6刘诗嘉 7汤英文 8姜佩璐 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2011/07/06 |
| 红外焦平面可靠性封装技术 期刊论文 红外与毫米波学报, 2009, 期号: 2 作者: 龚海梅; 张亚妮; 朱三根; 王小坤; 刘大福 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2011/07/08 |
| 防非红外辐射入射面响应的碲镉汞红外探测器芯片 专利 专利号: 200710039952.4, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者: 1 徐勤飞 2 朱龙源 3刘洪洋4 唐恒敬 5 龚海梅 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2011/07/06 |
| 带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器 专利 专利号: 200510111360.X, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者: 朱龙源 王平 刘诗嘉 陈江峰 靳秀芳龚海梅 李向阳 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2011/07/06 |