ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响

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	ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响
	操神送; 杜云辰; 朱龙源; 兰添翼; 赵水平; 罗毅; 乔辉
刊名	半导体光电
	2017
期号	1 页码:61-65
关键词	ICP干法刻蚀碲镉汞光导材料刻蚀气压电学特性
英文摘要	研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响.发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退,表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电阻率增加.分析认为增大的压强使得材料内部产生了更多的填隙Hg离子,增强了载流子受到的电离杂质散射作用;同时材料内部也产生了更多的缺陷,极化声子散射作用也因此加强.由此解释了在流片过程中出现的某一批次碲镉汞光导器件性能的恶化是该批次器件ICP刻蚀工艺中的气压参数增加所致.
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12119]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
作者单位	中国科学院上海技术物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	操神送,杜云辰,朱龙源,等. ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响[J]. 半导体光电,2017(1):61-65.
APA	操神送.,杜云辰.,朱龙源.,兰添翼.,赵水平.,...&乔辉.(2017).ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响.半导体光电(1),61-65.
MLA	操神送,et al."ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响".半导体光电 .1(2017):61-65.