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| 一种GaAs基LFET THz红外光探测器和制备方法 专利 专利号: 201810090440.9, 申请日期: 2017-10-24, 公开日期: 2019-07-23 作者: 邓惠勇; 潘昌翊; 殷子薇; 谢经辉; 张祎
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| 两种液相外延模式生长GaAs0.9Sb0.1薄膜的性能 期刊论文 激光与光电子学进展, 2017, 期号: 11, 页码: 332-336 作者: 谢浩; 胡淑红; 王洋; 黄田田; 潘晓航
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| 一种气体自动控制系统及其控制方法 专利 专利号: 201610480271.0, 申请日期: 2016-06-27, 公开日期: 2017-11-21 作者: 1 孙艳 2 余平 3 陈鑫 4 戴宁
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| 纳米材料与云母复合多层结构的制备方法 专利 专利号: 201610236129.1, 申请日期: 2016-04-15, 公开日期: 2017-12-26 作者: 1王书霞 2陈鑫 3 陈志民 4 张天宁 5孙艳 6戴宁
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| 一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法 专利 专利号: 201510295832.5, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-06-27 作者: 1 王洋 2 胡淑红 3 吕英飞4戴宁
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| 一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法 专利 专利号: 201510295876.8, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-09-22 作者:
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| 带势垒层结构的砷化铟热光伏电池的液相外延制备方法 专利 专利号: 201510296009.6, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-01-18 作者:
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| 彩色深度相机的彩色图像到深度图像的像素级对准算法 专利 专利号: 201410748490.3, 申请日期: 2014-12-09, 公开日期: 2016-08-25 作者:
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| 一种可连续生长多层膜的防止母液残留的液相外延石墨舟 专利 专利类型: 发明, 专利号: 201110355330.9, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 1孙常鸿 2胡淑红 3王奇伟 4 邓惠勇 5 邱锋 6 吕英飞 7 郭建华 8 戴宁
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| 纳米颗粒与纳米棒杂化结构的一步合成方法 专利 专利号: 201310039041.7, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 作者: 1董文静 2 陈鑫 3魏调兴 4 黄婵燕 5张云 6孙艳 7戴宁
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