一种GaAs基LFET THz红外光探测器和制备方法 | |
邓惠勇; 潘昌翊; 殷子薇; 谢经辉; 张祎; 李世民; 王超; 戴宁 | |
2017-10-24 | |
著作权人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
专利号 | 201810090440.9 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
公开日期 | 2019-07-23 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12322] |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓惠勇,潘昌翊,殷子薇,等. 一种GaAs基LFET THz红外光探测器和制备方法. 201810090440.9. 2017-10-24. |
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