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浏览/检索结果: 共42条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural phase transformations of ZnS nanocrystalline under high pressure 期刊论文 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 67-69 Pan YW; Qu SC; Gao CX; Han YH; Luo JF; Cui QL; Liu J; Zou GT 收藏  |  浏览/下载：40/21  |  提交时间：2010/03/09 SEMICONDUCTOR CLUSTERS   An investigation on the pressure-induced phase transition of nanocrystalline zns 期刊论文 Journal of physics-condensed matter, 2002, 卷号: 14, 期号: 44, 页码: 10487-10490 作者:   收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 An investigation on the pressure-induced phase transition of nanocrystalline ZnS 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2002, 卷号: 14, 期号: 44, 页码: 10487-10490 Pan YW; Qu SC; Dong SS; Cui QL; Zhang WW; Liu XZ; Liu J; Liu BB; Gao CX; Zou GT 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 ZINC-SULFIDE  TRANSFORMATIONS  DEPENDENCE   Pressure-induced phase transition of nanocrystalline zinc sulfide 期刊论文 high energy physics and nuclear physics-chinese edition, 2002, 卷号: 25, 期号: 0, 页码: 58-61 Pan YW; Qu SC; Cui QL; Zhang WW; Liu XZ; Liu J; Liu BB; Gao CX; Zou GT 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/08/12 ZnS : Eu  synchrotron radiation  high pressure  X-ray diffraction  ZNS   Gainnas/gaas multiple-quantum well resonant-cavity-enhanced photodetectors at 1.3 mu m 期刊论文 Chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1249-1251 作者:  Pan, Z;  Li, LH;  Xu, YQ;  Zhang, W;  Lin, YW 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence properties of a gan0.015as0.985/gaas single quantum well under short pulse excitation 期刊论文 Applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 958-960 作者:  Luo, XD;  Xu, ZY;  Ge, WK;  Pan, Z;  Li, LH 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/05/12 Quality improvement of gainnas/gaas quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 527-531 作者:  Li, LH;  Pan, Z;  Zhang, W;  Lin, YW;  Wang, XY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Defects  X-ray diffraction  Molecular beam epitaxy  Nitrides   Growth and characterization of gainnas/gaas by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 516-520 作者:  Pan, Z;  Li, LH;  Zhang, W;  Wang, XU;  Lin, YW 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Adsorption  Characterization  Radiation  Molecular beam epitaxy  Nitrides   High-temperature characteristics of gainnas/gaas single-quantum-well lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 Chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 659-661 作者:  Pan, Z;  Li, LH;  Du, Y;  Lin, YW;  Wu, RH 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of rapid thermal annealing and sio2 encapsulation on ganas/gaas single quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文 Applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2488-2490 作者:  Li, LH;  Pan, Z;  Xu, YQ;  Du, Y;  Lin, YW 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12