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半导体研究所 [12]
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期刊论文 [12]
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2017 [1]
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MBE growth of high quality AlInSb/GaSb compound buffer layers on GaAs substrates
期刊论文
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2020, 卷号: 52, 期号: 3, 页码: 138
作者:
Yong Li
;
Xiaoming Li
;
Ruiting Hao
;
Jie Guo
;
Yunpeng Wang
;
Abuduwayiti Aierken
;
Yu Zhuang
;
Faran Chang
;
Kang Gu
;
Guoshuai Wei
;
Xiaole Ma
;
Guowei Wang
;
Yingqiang Xu
;
Zhichuan Niu
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2021/12/20
MBE growth of high quality InAsSb thin films on GaAs substrates with GaSb as buffer layers
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 542, 页码: 125688
作者:
Yong Li
;
Xiaoming Li
;
Ruiting Hao
;
Jie Guo
;
Yunpeng Wang
;
Abuduwayiti Aierken
;
Yu Zhuang
;
Faran Chang
;
Suning Cui
;
Kang Gu
;
Guoshuai Wei
;
Xiaole Ma
;
Guowei Wang
;
Yingqiang Xu
;
Zhichuan Niu
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  |  
浏览/下载:25/0
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提交时间:2021/06/28
Fabrication and characterization of high lattice matched InAs/InAsSb superlattice infrared photodetector
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2017, 卷号: 470, 页码: 33–36
作者:
Ruiting Hao
;
Yang Ren
;
Sijia Liu
;
Jie Guo
;
Guowei Wang
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/06/15
Short to long-wave IR detectors based on InAs/GaSb superlattices in multi-color application
期刊论文
proceedings of the spie, 2013, 卷号: 8907, 页码: 89070r
Guo, Jie
;
Wang, Guowei
;
Lin, Xu
;
Hao, Ruiting
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2014/05/08
Molecular beam epitaxy of gasb on gaas substrates with alsb/gasb compound buffer layers
期刊论文
Thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
作者:
Hao, Ruiting
;
Deng, Shukang
;
Shen, Lanxian
;
Yang, Peizhi
;
Tu, Jielei
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Gallium arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/aluminum antimonide
Superlattices
Molecular beam epitaxy
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS
Comparison of short period inas/gasb superlattices on gasb and gaas substrates
期刊论文
Science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 23-27
作者:
Guo Jie
;
Chen HuiJuan
;
Sun WeiGuo
;
Hao RuiTing
;
Xu YingQiang
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Inas/gasb
Superlattice
Substrates
Infrared detector
Long-wavelength light emission from self-assembled heterojunction quantum dots
期刊论文
Journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 9, 页码: 3
作者:
Zhou, Zhiqiang
;
Xu, Yingqiang
;
Hao, Ruiting
;
Tang, Bao
;
Ren, Zhengwei
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Mbe growth of very short period inas/gasb type-ii superlattices on (001) gaas substrates
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 21, 页码: 6690-6693
作者:
Hao, Ruiting
;
Xu, Yingqiang
;
Zhou, Zhiqiang
;
Ren, Zhengwei
;
Ni, Haiqiao
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Growth of gasb layers on gaas (001) substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1080-1084
作者:
Hao, Ruiting
;
Xu, Yingqiang
;
Zhou, Zhiqiang
;
Ren, Zhengwei
;
Ni, Haiqiao
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
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