QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 硅基光子集成的器件及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-11-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 黄昌俊; 邓晓清; 成步文; 王红杰; 杨沁清; 余金中; 胡雄伟; 王启明 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2009/06/11 镜面起伏对1.55 μm Si基MEMS光滤波器的影响 期刊论文 光子学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 661-664 作者:  左玉华;  成步文 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 1．55μm Si基光电探测器的研究进展 期刊论文 半导体光电, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 79-83 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23 热光Si共振腔型可调谐滤波器 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 1312-1317 作者:  左玉华;  成步文 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 Si_（1-x-y）Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 53 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23 弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 875 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 862 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23 UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 564 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 760 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 962 作者:  Cheng BW(成步文) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23