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半导体研究所 [13]
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专题:半导体研究所
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生长氧化锌纳米棒阵列的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994, 2010-10-15
作者:
魏鸿源
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/19
量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
徐波
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2009/06/11
在解理面上制作半导体纳米结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
金鹏
;
徐波
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浏览/下载:463/11
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提交时间:2009/06/11
量子点的原子力显微镜测试结果分析:数学形态学的实现
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2120-2126
作者:
陈涌海
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
一种单/多层异质量子点结构的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
韩培德
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2009/06/11
钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性
期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 135-138
作者:
韩培德
;
黎大兵
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
表面应力诱导InGan量子点的生长及其性质
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 39-43
作者:
韩培德
;
黎大兵
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究
期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 380-384
作者:
黎大兵
;
韩培德
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/23
GaN的声表面波特性研究
期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164
作者:
韩培德
;
黎大兵
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究
期刊论文
人工晶体学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 451-455
作者:
韩培德
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
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